从2016年下半年开始，内存、闪存的缺货涨价势头开始上扬，2017年这一局面将继续扩散蔓延，而且一整年都未必会有改观。

　　据台湾经济日报报道，内存大厂金士顿近日表态，今年因为主要的DRAM内存大厂都没有增产计划，全年DRAM内存都面临缺货窘境。此外，群联公司董事长潘建成也强调，NAND闪存因为进入3D世代，制程良率无法提升，预计将缺货一整年。

　　日前，金士顿董事长陈建华出席群联竹南三厂上梁典礼时，针对DRAM内存市场进行了分析，他表示，目前主要DRAM内存大厂都没有增产计划，而且将主要产能转移生产3D NAND闪存，造成DRAM内存供需短缺。

　　值得一提的是，三星是这波DRAM内存价格上涨的主要推手。目前，三星超过7成产能已经被苹果以及自家手机、大陆的OPPO/vivo瓜分，能供应给其它品牌的十分有限，其产能转型为成长速度最快的3D NAND闪存。

　　其它厂家也有跟进，但良品率都不及三星，让三星有资格和能力主导价格调整，以弥补其Note 7手机停产造成的损失。

　　除了DRAM内存工序失衡外，相关PCB板材料短缺，也是价格上涨的因素之一。